Raksasa Korea Selatan divisi elektronik Samsung mengumumkan prestasi lain dalam teknologi memori. Mereka selesai mengembangankan dan penguji chip memori DDR4 10nm 8-gigabit generasi kedua. Yang terkecil dari jenisnya, chip DRAM baru akan memasuki produksi massal setelah itu akan masuk ke home PC yang akan dirilis di masa depan.

Bila dibandingkan dengan chip generasi pertama, RAM 8Gb Samsung baru ini 15% hemat energi dan 10% lebih cepat. Chip DRAM mampu berjalan pada speed 3.600 Mbps sedangkan generasi sebelumnya menghasilkan maksimum 3.200 Mbps. Keuntungan keseluruhan produktivitas sekitar 30% dari gen pertama yang memungkinkan perusahaan memproduksi chip memori dengan cepat.

RAM baru belum terlihat adanya perubahan proses fabrikasi namun Samsung berhasil mengurangi ukurannya dengan menambahkan teknologi baru termasuk “spacer udara unik” dan mekanisme pemeriksaan kesalahan yang lebih baik.

Perusahaan ini mencoba membuat memori gen 10nm mereka yang lebih luas lagi, namun mereka juga akan menciptakan chip 1-gen 10nm untuk memenuhi permintaan industri. Perkembangan besar berikutnya setelah ini akan menjadi chip RAM berdasarkan proses pembuatan LPP 8nm. Selain itu, Samsung berfokus pada teknologi memori lain seperti DDR5, LPDDR5, GDDR6, dan HBM3 yang menemukan penggunaannya di sejumlah perangkat mobile, GPU high-end, sistem HPC, dll.