Sepanjang jalur pengembangan perangkat penyimpanan yang lebih maju, para peneliti di University of Alberta Kanada telah menemukan cara untuk menggantikan elektron hidrogen pada wafer silikon menggunakan scanning tunneling microscope (STM).

Hal ini dapat menyebabkan kepadatan penyimpanan sekitar 138 TB per inci persegi, sekitar 1.000 kali lebih banyak daripada perangkat penyimpanan yang tersedia saat ini.

STM pertama kali dikembangkan lebih dari 30 tahun yang lalu di IBM yang berhasil menyimpan data dalam satu atom tahun lalu. Pendekatan yang diperoleh oleh peneliti Kanada menggunakan STM untuk menjatuhkan atom hidrogen individu dari permukaan wafer silikon menggunakan pulsa tegangan.

Lowongan yang dibuat saat atom dihapus dapat “berpola di permukaan untuk membuat perangkat dan memori.” Dan penghapusan dan penggantian atom ini menciptakan 0 dan 1 yang logis yang digunakan untuk menyimpan data.

Untuk mencapai suatu desain, seluruh proses penggantian telah diotomatisasi, menurut Roshan Achal yang memimpin proyek tersebut.

Dia mengakui bahwa pendekatan mereka sangat akurat, tetapi itu tidak salah. Sebagai contoh, sebuah atom mungkin terlempar dari lokasi yang tidak diinginkan. Sebuah solusi sudah ada yang menghilangkan kebutuhan untuk memulai lagi dari awal.

Proyek ini juga membahas berbagai rintangan termasuk suhu sangat rendah yang diperlukan untuk prosedur tersebut  bekerja. Dengan pendekatan mereka, untuk membuat desain yang stabil pada suhu kamar.

“Stabilitas ini datang dengan biaya peningkatan kesulitan dalam struktur fabrikasi. Namun, dengan teknik baru ini kami telah mengatasi banyak masalah terkait, membuat sistem ini menjadi kandidat yang sangat menarik untuk aplikasi teknologi baru, ”kata Achal.

Ada aspek utama lain di mana para peneliti bekerja: kecepatan. Cara mudah untuk meningkatkan kecepatan untuk menambah jumlah tip yang digunakan untuk menggantikan atom.

Penelitian ini telah dipublikasikan di jurnal Nature Communications.